Откройте свой Мир!

Этот нано-цветочек приготовлен методом молекулярно-лучевой эпитаксии (Center for Condensed Matter Science, National Taiwan University, Taipei, Taiwan.). Выражаясь прозаически, это нитрид индия (InN) с атомной структурой вюрцита.
Но если по сути - это подарок для Вас, Милые участницы сообщества!
С праздником Вас!

Если нагреть в откачанной слеклянной ампуле монокристаллы слоистых дихалькогенидов титана, интеркалированных некоторыми переходными металлами - Fe, Co, Cr, Ti (возможно и ещё есть, все не проверили ещё), то в диапазоне температур 150 - 600 С будет наблюдаться самопроизвольное движение кристалла по ампуле, как это показано на видео-ролике. Если вакуум хуже 0,1 торр., или если подложка проводящая (например, часть ампулы покрыта фольгой) - ничего не будет.
Объяснение эффекта можно найти здесь:
http://www.ioffe.rssi.ru/jo...
Если говорить коротко, то дело в флуктуациях электростатики. такие флуктуации не редкость, но тут прикол в том, что они имеют очень большую корреляционную длину - то есть размер одинаково поляризованной области ну, по крайней мере, не меньше нескольких микрон. Причину тому ваш покорный слуга видит в сильном взаимодействии между соседними центрами поляризации посредством упругих искажений. А чтобы оные возникли необходима интеркалация.

Фокус, однако, состоит в том, что недавно, не более полугода назад, обнаружилось, что не только интеркалаты способны к такому поведению. выяснилось, что твёрдые растворы замещения с общей формулой CrxTi(1-x)Se2 тоде к этому способны, хотя в них и нету никакой интеркалации. Это может значить, что или и в интеркалатах причина левитация была другой или то, что существует и другой механизм приводящий к аномально большим корреляционным длинам при флуктуациях.

Вот давайте поговорим о таких механизмах. Да и левитации вообще.

При температуре ниже 13,2 °C происходит увеличение удельного объёма чистого олова на 25,6 %, и металл образует новую модификацию, обладающую полупроводниковыми свойствами , — серое олово (бета-Sn), в кристаллической решётке которого атомы располагаются менее плотно. Одна модификация переходит в другую тем быстрее, чем ниже температура окружающей среды. При Т=-33 °C скорость превращений становится максимальной. Олово трескается и превращается в порошок. Причём соприкосновение серого олова и белого приводит к «заражению» последнего. Совокупность этих явлений называется «оловянной чумой».

[ Читать далее... → ]

Американские ученые получили прочнейшую на сегодняшний день металлическую пену, способную помнить форму при сжатии на 80 %.

В России стартовал II конкурс фотографии «Наука – это красиво!». В нем могут состязаться люди, которые умеют красиво подать научную деятельность или объекты исследований.

У конкурса есть две основных номинации. Первая – «Мир, скрытый от наших глаз». В ней должны быть представлены работы, показывающие то, что невозможно увидеть невооруженным человеческим глазом. Разумеется, здесь необходимо использование специальной техники. Именно в этой номинации в прошлом году победил аспирант МГУ имени Ломоносова Алексей Ломакин. На представленном им изображении видны структурные элементы одной единственной клетки – актиновые филаменты, которые поддерживают форму клетки, а также обеспечивают двигательную активность. Снимок был сделан с использованием лазерного сканирующего микроскопа, а окрашивания удалось добиться с использованием специальных молекул, которые образуют флуоресцирующие комплексы при взаимодействии с изучаемыми объектами – антителами.

http://www.infox.ru/science...

Под голубыми небесами
Великолепными коврами,
Блестя на солнце, снег лежит;
Прозрачный лес один чернеет,
И ель сквозь иней зеленеет,


Известно довольно много кристаллических модификаций льда (в английской Википедии я обнаружил  таблицу с 14-ю модификациями!) и аморфный лёд.
[ Читать далее... → ]

Раненые металлы тоже стонут, но в радиодиапазоне
Об электрической активности кристаллов при их нагружении и разрушении было известно еще М.Фарадею. В дальнейшем всплеск интереса к этой проблеме пришелся на 60-80-е годы XX века. На возможность электромагнитного излучения при движении дислокаций в диэлектриках впервые указали А.М.Косевич и И.Г.Маргелашвили еще в 1967 г. Они рассматривали излучение, возбуждаемое вынужденными колебаниями ионов в ядре дислокации при ее движении в ионном кристалле. Детальные экспериментальные исследования радиоизлучения при деформации и разрушении диэлектриков были проведены группами М.И. Корнфельда., В.М. Финкеля, Ю.И. Головина, К. Гофмана.
За несколько последних десятилетий было предложено множество различных возможных источников радиоизлучения при деформации и разрушении металлов. На один из таких источников указал В.Я.Кравченко, предложивший считать ответственным за радиоизлучение эффект увлечения электронов дислокациями [1]. В работе [2], в которой были обнаружены импульсы длительностью ~10мкс при деформировании Al и Nb, эта идея получила экспериментальное подтверждение. В дальнейшем М.И.Молоцкий предсказал излучение ~ 10-13Вт/см2 в микроволновом диапазоне при ударном нагружении металлов с высокой начальной плотностью дислокаций ~10-10см-2 [3]. Он же развил теорию радиоизлучения, генерируемого источниками Франка-Рида с поверхности кристалла [4]. Имеются и многие другие причины радиоизлучения при высокоскоростном деформировании металлов.
Недавно интерес к этой группе явлений в металлах возник снова. Например, авторы [5] недавно сообщали об обнаружении последовательностей различных радиоимпульсов общей мощностью ~ 10-11Вт/см2, которые возникают при простреливании алюминиевой пластины пулей, движущейся со скоростью 4км/c (см. рис.). Авторы классифицируют импульсы на три группы: 1) широкие импульсы гауссовой формы, возникающие вследствие локального нагрева пластины алюминия и соответствующие излучению черного тела, 2) короткие импульсы с длительностью ~1-0.1нс и 3) серии импульсов с различными частотными характеристиками во всем диапазоне измерений.



Энергия, которая излучается в одном импульсе длительностью ~1нс оказывается на уровне ~ 104эВ, что соответствует 1010 элементарным событиям.
Было установлено, что интенсивность и затухание со временем эмиссии радиоволн сильно зависят от кинетических характеристик внедрения пули в материал.
Возможными причинами генерации волн СВЧ диапазона авторы [5] считают “разрушение кристаллической решетки” и излучение создаваемой при этом разрушении плазмы. Обнаруженная эмиссия радиоволн как по частотному диапазону, так по интенсивности сильно (на два порядка величины!) отличается от всех случаев, упомянутых в начале статьи. Возможно, это объясняется существованием дополнительных механизмов генерации радиоволн. Необходимо учитывать, что высокая частота обнаруженных импульсов может соответствовать только тем событиям, которые происходят в тонком приповерхностном слое металла.
Р.Моргунов
1. ФТТ, 1967, 9(4), с.1050
2. Письма в ЖЭТФ, 1983, 38(7), с.334
3. Письма в ЖТФ, 1983, 9(2), с.85
4. Изв.СО АН СССР, 1983, 12(5), с.32
5. J. Appl. Phys., 2002, 92, p.5550
Как бы придумать материал, чтобы он замечал и уничтожал пули до соприкосновения с ними.

Предлагаю Вашему вниманию программу, о которой возможно мало кто слышал и знает:
MuPAD Pro 4 – это система компьютерной алгебры с богатым набором инструментов, включающая обширные математические алгоритмы для символьных и численных расчётов, и инструментарий для визуализации, анимации и интерактивных манипуляций с двумерными и трёхмерными графиками и другими математическими объектами – Virtual Camera (VCam).

[ Читать далее... → ]

С днем Российской Науки вас, господа материаловеды!
[ там мой последний вклад в науку... композиционный материал, так сказать )))... → ]

Сергей, специально для вас.

Цифровые технологии развиваются настолько быстро, что за новыми изобретениями просто не успеваешь следить. Конечно, не все их них стоят отдельного внимания, ведь в большинстве случаев это незначительные доработки уже существующих технологий. Но иногда случаются самые настоящие открытия, поворачивающие весь электронный и цифровой мир. На этот раз, можно сказать, что произошло второе. Изобретение, сделанное учеными из Hewlett Packard, является новым базовым элементом, четвертым после резистора, конденсатора и индуктора. Оно всерьез может изменить мир электроники, причем в лучшую сторону. Но что же в нем особенного? Особенность его заключается в том, что новый базовый элемент способен сохранять данные, даже если питание выключено.

[ Читать далее... → ]

Ученые из Южной Калифонии разработали настоящий трехмерный дисплей, не требующих никаких специальных приспособлений для просмотра изображения.

Идея проста, как все гениальное. Берется зеркало, на него проецируется изображение, и оно (зеркало) начинает быстро вращаться — приблизитльно со скоростью 12 тысяч оборотов в минуту. За счет относительной простоты конструкции получаемая «картинка» одинаково хорошо видна как обычному глазу, так и разного рода видеокамерам и фотоаппаратам.

Кроме того, этот прибор способен воспроизводить не только статические картинки, но также и анимацию, так как частота обновления изображения составляет 200 Гц.

Впрочем, что я тут вам рассказываю. Смотрите сами.
[ Смотреть... → ]

Pulickel Ajayan (R) из Rice University держит в руках самый черный материал в мире. Данная субстанция поглощает более чем 99,9 процентов света. Сделанный из крошечных углеродных трубок, этот материал практически в 30 раз темнее, чем углеродная субстанция, которая использовалась американским Национальным Институтом Стандартов и Технологий (U.S. National Institute of Standards and Technology) в качестве «эталона черноты», пишет Reuters.


[ Читать далее... → ]

В журнале Physical Review Letters, появилась статья с утверждением, что самый твердый на сегодняшний день материал - лонсдейлит. Он оказался на 58 процентов тверже алмаза. Таково содержание многочисленных новостных сообщений в интернете (например на Лента.ру).
 Лонсдейлит представляет собой одну из аллотропных модификаций углерода. Структура его кристаллической решетки напоминает структуру решетки алмаза. За это данный материал даже получил второе имя - гексагональный алмаз. Отличие заключается в том, что элементарная ячейка лонсдейлита содержит четыре атома, а ячейка алмаза - восемь.
[ Читать далее... → ]

Исследователи из лаборатории робототехники университета Васеда (Shuji Hashimoto Laboratory) приготовили кусок геля, который может двигаться на манер гусениц-пядениц. Гель этот приготовлен на основе полимеров, меняющих свой цвет и, главное, размер в зависимости от химического окружения. Передвижение этого куска геля обеспечивается за счёт осциллирующей химической реакции Белоусова-Жаботинского.
Посмотрите ролик показывающий как шагает этот гель.
Этот эффект уже был известен некоторое время, но до сих пор экспериментаторам не удавалось получить сокращение порции геля, сколь-нибудь заметное по сравнению с её собственными размерами. А разновидности реакции Белоусова-Жаботинского (это ведь целый класс реакций) до сих пор применялись лишь для создания эффектных динамических рисунков на поверхности образцов, создания химических часов с периодически меняющимся цветом жидкости и так далее. Но никто не думал, что такая реакция может двигать кусок материала.  Авторы шагающего геля прочат ему будущее в составе роботов. Мол, для управления движениями машин с традиционными технологиями приходится применять электронику, провода и кучу твёрдых деталей, что усложняет устройство и повышает его стоимость. Узлы на основе "живого геля" могли бы обходиться без всего этого, а контроль за их работой осуществляли бы самоорганизующиеся химические реакции, идущие внутри. Ну а за электронными компонентами остались бы задачи, где без микросхем уже никак не обойтись.

Источник Membrana

В России разработан новый конструкционный отделочный материал для
строительства (вентилируемые фасады, стеновые панели) – Цветная
Декоративная Нержавеющая Сталь с Антивандальными Свойствами (ЦДНС АС).
Поверхность материала имеет декоративный рельеф, представляющий собой
выступы и впадины. Впадины заполняются органическими, неорганическими
красками, сверхтвердыми заполнителями, которые хорошо защищены от
различных механических воздействий. По сути, новый материал является
композиционным материалом с целым рядом новых эксплуатационных свойств.
Благодаря такой конструкции декоративная поверхность долго сохраняет
внешний вид, способна противостоять вандалам, легко очищается от
назойливых рекламных объявлений без ущерба внешнему виду. ЦДНС АС –
новое слово в материаловедении. Это отдельный класс интеллектуальных
материалов с новыми эксплуатационными свойствами, существенно
превосходящими все существующие лако-красочные покрытия металлов,
которые в отличие от ЦДНС АС легко царапаются, корродируют. В сочетании
с высокой коррозионной стойкостью, негорючестью, оригинальным внешним
видом, возможностью использования всего многообразия цветной палитры,
устойчивостью к истиранию и ударам, незаметностью внешних повреждений,
новый материал вплотную приблизился к идеальному отделочному материалу
из металлов. Недаром в переводе на английский язык, нержавеющая сталь
переводится как безупречная сталь. Материал ориентирован на экспорт. Он
по ряду свойств и отдельным свойствам значительно превосходит аналоги
ведущих мировых производителей. Область применения: 
Область
применения новации (потенциальная)Стройиндустрия (конструкционные
отделочные материалы для фасадов и интерьеров зданий),
машиностроение(производство корпусов оборудования и бытовой техники,
производство мебели и пр...), судостроение (отделка внутренних
помещений)и пр.

Жаль,что все самое лучшее,что разрабатывается у нас,уходит за границу

Где-то слышал такую шутку-рассуждение: "Можно не мыться,  когда грязи станет слишком много она сама отвалится". Вспомнилось это в связи с т.н. самоочищающимися покрытиями, которые сегодня стали реальностью. Ведь действительно, если управлять этим "критическим количеством грязи", с привышением которого она должна отвалиться, и сделать эту "критическую массу" очень маленькой, мы и получим самоочищающееся покрытие. "Критическая массу" масса конечно связана с силами прилипания (адгезии) между частицей грязи и поверхности. Важным вопросом для самоочищения является прилипание воды гидрофобность. Гидрофобные поверхности действительно неплохо самоочищаются, т.к. капли воды скатываясь с них захватывают плохо закрепленные частички грязи. Этот эффект называют "Эффект лотоса".


[ Читать далее... → ]

В курсах по физике твердого тела обычно рассказывают о 4-х типах межатомных связей: металлическая, ковалентная, ионная, связь Ван-дер-Ваальса. Когда же демонстрируют свойства материалов в зависимости от типа связи обычно связь Ван-дер-Ваальса опускают - она слабая и в комнатной температуре обычно Ван-дер-Ваальсовы кристаллы испарились. Для 3-х оставшихся связей приводят в пример типичных представителей определенного типа связи: металлическая - медь, ковалентная - алмаз, ионная - NaCl. Но четкого разделения для большинства материалов по типу связи провести не получается. Обычно межатомная связь сочетает в себе в той или иной степени признаки всех типов связей.
Известен в этой связи т.н. треугольник Van Arkel-Ketelaar
Однако, на этом попытки визуализации наших знаний о межатомных связях и как они формируют свойства материалов далеко не заканчиваются.
[ Читать далее... → ]

Научный совет по проблеме "Физика полупроводников и полупроводниковые приборы "
при ОФА Национальной Академии Наук Украины
Министерство образования и науки Украины
Украинское физическое общество
Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины
Классический приватный университет (г. Запорожье)
Запорожский национальный технический университет
ОАО «Завод полупроводников» (г. Запорожье)

П р о в о д я т

IV Украинскую научную конференцию
по физике полупроводников
(УНКФП-4)

"УНКФП-4", Украина, Запорожье, 15 - 19 сентября 2009 р.

Первое информационное сообщение

Целью конференции является рассмотрение достижений и широкое обсуждение современных проблем физики полупроводников, новых физических явлений и современных технологий в этой области
Конференция посвящена 50-летию создания
Института физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины

Председатель конференции
Председатель научного совета по проблеме
«Физика полупроводников и полупроводниковые приборы» при ОФА НАН Украины"
Директор ИФН им. В.Е.Лашкарева НАН Украины, чл.-кор. НАН Украины
В.Ф.Мачулин (Киев),

Зам. председателя
Первый проректор КПУ (г. Запорожье), профессор
Горбань А.Н.

Программный комитет
Председатель - Литовченко В.Г., чл.-кор. НАНУ (Киев)
Заместители председателя
– Беляев А.Е, чл.-к. НАНУ (Киев)
– Валах М.Я., чл.-к. НАНУ (Киев)
Ученый секретарь - Стронский А.В., д.ф.-м.н. (Киев)

Баранский П.И., проф. (Киев)
Бахрушин В.Е., проф. (Запорожье),
Блонский И.В., чл.-к. НАНУ (Киев)
Бойчук В.И., проф. (Дрогобыч)
Бродин М.С., акад. НАНУ(Киев)
Власенко А.И., проф., (Киев)
Ильченко В.В., проф., (Киев)
Кияк Б.Р. исполнительный директор фонда фундаментальних исследований и гуманитарной политики МОНУ (Киев)
Кладько В.П., проф., (Киев)
Коваленко А.В., проф., (Днепропетровск)
Корбутяк Д.В., проф., (Киев)
Кочелап В.А., проф. (Киев)
Критская Т.В., проф. (Запорожье)
Лисенко В.С., чл.-к. НАНУ (Киев)
Лашкарев Г.В., проф. (Киев)
Левинзон Д.И., проф. (Запорожье)
Лепих Я.И., проф. (Одесса)
Лисица М.П., акад. НАНУ (Киев)
Локтев В.М., акад. НАНУ (Киев)
Мельничук С.В., проф. (Черновцы)
Мица В.М. проф. (Ужгород)
Наумовец А.Г., акад. НАНУ (Киев)
Олексенко П.Ф., чл.-к. НАНУ (Киев)
Остафийчук Б.К. чл.-к. НАНУ (Ив.-Франковск)
Попенко Н.О., проф. (Харков)
Прокопенко И.В., проф. (Киев)
Рогачова Е.И. , проф. (Харков)
Рябченко С.М., чл.-к. НАНУ, (Киев)
Свечников С.В., акад. НАНУ (Киев)
Смынтына В.А., проф., (Одесса)
Стахира И.М., проф. (Львов)
Стриха М.В., д.ф.-м.н., (Киев)
Сизов Ф.Ф., чл.-к. НАНУ, (Киев)
Сугаков В.Й., чл.-к. НАНУ, (Киев)
Ткач М.В., проф., (Черновцы)
Третяк О.В., акад. АПН (Киев)
Фреик Д.М., проф. (Ив.-Франковск)
Якименко Ю.И., чл.-к. НАНУ, (Киев)
Яценко Л.П., чл.-к. НАНУ, (Киев)
Ящук В.М., проф., (Киев)


Организационный комитет:

1. Горбань А.Н., проф., (Запорожье) – председатель
2. Прокопенко И.В. проф. (Киев) – зам. председателя
3. Бабич В.М., проф., (Киев)
4. Высочанский Ю.М., проф. (Ужгород)
5. Дмитрук Н.Л., проф., (Киев)
6. Евтух А.А., д.ф.-м.н. (Киев)
7. Кидалов В.В., проф., (Бердянск)
8. Клюй Н.И., проф., (Киев)
9. Коваленко А.В. проф.(Днепропетровск)
10. Литовченко П.Г. проф., (Киев)
11. Оксанич А.П., проф., (Кременчуг)
12. Погосов В.В., проф. (Запорожье)
13. Порошин В.Н., проф. (Киев)
14. Романюк Б.Н., проф. (Киев)
15. Сиренко С.И. (Запорожье)
16. Скрышевский В.А. проф.(Киев)
17. Стронский А.В. д.ф.-м.н. (Киев)
18. Таращенко Д.Т. к. ф.-м.н. (Киев)
19. Ткач М.В. проф. (Черновцы)
20. Федосов А.В. проф. (Луцк)
21. Червоный И.Ф., проф. (Запорожье)

Локальный организационный комитет:

1. Левинзон Д.И., проф. (Запорожье) – председатель
2. Таланин И.Е., проф. (Запорожье) – зам. председателя
3. Ананьина О.Ю., доц. (Запорожье)
4. Веревкин В.В., к.т.н. (Запорожье)
5. Горбенко В.И., доц. (Запорожье)
6. Корнич Г.В., проф. (Запорожье)
7. Меняйло В.И., доц. (Запорожье)
8. Трубицын Ю.В., проф. (Запорожье)
9. Хрипко С.Л., доц. (Запорожье)
10. Шварцман Л.Я., к.т.н. (Запорожье)
11. Яновский О.С., доц. (Запорожье)


Предварительный список тем приглашенных докладов:

Современные тенденции полупроводниковой микро- и наноэлектроники
Новые полупроводниковые технологии, кремниевые технологии
Современные проблемы кремниевых технологий
Широкозонная электроника и оптоэлектроника
Терагерцовая электроника
Фононные явления в наноструктурах
Нанотрубки, фулерены и графены
Фотонные кристаллы, нанооптика и метаматериалы
Открытые квантовые точки
Спинтроника в современной физике полупроводников
Полупроводниковые фотоприемники. Состояние и перспективы
Методы характеризации и диагностики п/п структур
Примечание. Список тем приглашенных докладов может быть изменен или дополнен.


Научные направления конференции:
1. Новые физические явления в объеме и на поверхности полупроводников
2. Физические явления в низко- и квантоворазмерных структурах.
3. Современные кремниевые технологии
4. Физика полупроводниковых приборов:
- а) проблемные вопросы микро- и наноэлектроники, квантовые и наноструктурные приборы;
- б) современные физико-технические аспекты оптоэлектронных приборов
- в) сверхвысокочастотная и терагерцовая электроника
5. Материаловедение, технологии и диагностика полупроводниковых материалов.

Тезисы докладов будут изданы перед началом работы конференции.

Требования к тезисам
Объем тезисов: одна полная страница, приглашенные доклады – две.
Текст набирать на бумаге формата А4 с полями: левое – 3,0 см, остальные по –2,5 см в редакторе WinWord шрифтом Times New Roman. Название – жирным шрифтом 16 pt, фамилии авторов -12 pt, информация, которая касается места работы авторов и адрес – курсивом 12 pt, все по центру, текст – 14 pt. Между строками один интервал. Среди авторов подчеркнуть докладчика. Желательно его поставить на первое место, поскольку переписка будет проводиться с первым автором. Следует также прислать твердую копию тезисов в 2 экземплярах, экспертное заключение и электронную версию тезисов на дискете 3,5//, или электронной почтой. На дискете написать: Фамилию, название доклада, город. Формулы набирать в редакторе формул MS Word Equation или MathType. Все подписи в середине рисунков, а также формулы должны быть шрифтом величиной 12 pt.

Условия публикации тезисов, принятых програмным комитетом:
- оплата оргвзноса (полученное Оргкомитетом подтверждение с указанием фамилии участника, докладчика);
- наличие экспертного заключения для авторов из Украины (отправляйте вместе с тезисами);
- полный доклад (в соответствии с принятыми тезисами).
От одного автора принимаются не больше трех докладов.
Просим каждого соавтора прислать заполненую регистрационную карточку.
Доклады будут опубликованы по рекомендации програмного комитета в научно-технических журналах: "Украинский физический журнал", "Журнал физических исследований ", "Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron.", "Функциональные материалы", «Технология и конструирование в электронной аппаратуре», «Фотоелектроника», «Сенсорная електроника и микросистемные технологии», «Сложные системы и процессы». После рекомендации рукописи авторам будет необходимо привести рукописи в соответствие с требованиями журналов и отправить на их адрес.

Рабочие языки конференции: украинский, русский, английский.
Организационный взнос за участие в конференции составляет:

для участников из Украины 300 - грн. включительно с НДС
для участников из СНГ 70- ($) (или эквивалент в гривнах)
из других государств 100- ($)(или эквивалент в гривнах)
Для членов Украинского физического общества (по предъявлению удостоверения) скидка на 20%, для аспирантов и молодых ученых (до 25 лет) – на 50 %.
Дополнительная информация

1. В УНКФП-3 (2007 р.) приняли участие более чем 300 ученых и специалистов, было представлено 471 доклада из 23 стран.
2. Запорожье имеет воздушное, железнодорожное и автобусное сообщение со многими городами Украины и мира:
Возможности транспортной связи с Запорожьем дополняются европейским уровнем комфортабельности всех видов транспорта через столицу Украины – город Киев.
3. Проживание участников планируется в гостинницах и в комфортабельных общежитиях университета. В г. Запорожье в это время тепло и сухо, средняя температура воздуха 20-22С. Планируются экскурсии на предприятия и культурная программа, в рамках которой желающие смогу ознакомиться с историческими достопримечательностями Запорожья.

Основные даты конференции:

Прием регистрационных карточек до 01.04.2009
Тезисов докладов с экспертными заключениями
(для авторов из Украины) до 01.05.2009
Рассылка 2-го информационного сообщения участникам
и авторам принятых докладов до.01.06.2009
Прием полных докладов до.01.08.2009
Прием оргвзносов до.31.08.2009
(после 31.08.2009 сумма оргвзноса на 15% больше)
Спонсоры

Для финансовой поддержки приглашаются спонсоры как из Украины, так и зарубежные. Спонсоры будут специальным образом (по их желанию – по их товарным знакам или логотипам) указаны в информационных материалах конференции, которые предназначены для рассылки. С предложениями обращаться по нашим реквизитам.

Адреса для переписки:

Отправка тезисов и регистрационных карточек:
Оргкомитет "УНКФП-4",
Институт физики полупроводников НАН Украины
пр. Науки, 41, м. Киев, 03028, Украина
тел.: +38(044) 525 6040 Стронский Александр Владимирович
E-mail: stronski@isp.kiev.ua,
Дополнительная информация про конференцию будет размещена на веб-стр.:
http://www.web.isp.kiev.ua.........................

Локальный оргкомитет "УНКФП-4",
Классический приватный университет
Ул.. Жуковского, 70-б, Запорожье, Украина, 69002
Тел.: +38(061) 764 4256 Горбань Александр Николаевич
E-mail: gorban@education.zp.ua
Тел. +38(061) 2209450 Левинзон Давид Иделевич
Бахрушин Владимир Евгеньевич
E-mail: Vladimir.Bakhrushin@zhu.edu.ua


Регистрационная карточка участника конференции "УНКФП- 4"

Фамилия___________________________________
Имя___________Отчество _____
Ученая степень _______
Ученое звание ________________
Должность________________________________________
Название организации _______________
_________________________________________________________
Адрес организации___________
_________________________________________________________
Адрес для переписки (с обязательным наличием почтового кода) _________________________
_________________________________________________________
Телефон________Факс________________________
E-mail____________________________________________________

Название доклада__________________________________________
__________________________________________________________
__________________________________________________________

Отметьте соответствующие пункты
 Я хотем бы представить доклад (тезисы прилагаю)
 Я планирую приехать без доклада

Я хотел бы, чтобы мой доклад был включен в секцию:
1 2 3 4а 4б 4в 5

как  устный доклад  стендовый доклад*
____________________________________________________________
*Окончательное решение о форме представления доклада (устный/стендовый) будет принято программным комитетом.